12月18日消息，星抢据韩国媒体报道，跑第三星电子正加速布局下一代DRAM技术，代还代在第六代DRAM尚未量产之际，没量已着手建立第七代（1d）DRAM的产下存测测试线。
报道称，试线三星已在平泽P2厂建置10纳米级的已开第七代DRAM测试线，并预计明年第一季度完全建成，星抢以提高良率并拉开与竞争对手的跑第技术差距。
这条被称为“单路径线”的代还代测试线，将用于测试新半导体产品的没量量产潜力，一旦下一代芯片性能在研发阶段确定，产下存测就会在此引进晶圆，试线开始提高量产良率。已开
目前尚不确定平泽10纳米级第七代DRAM厂房的星抢规模，但通常安装测试线每月可处理约1万片晶圆。
三星计划在2026年前量产第七代DRAM，而其前身第六代（1c）DRAM计划明年（2025年）量产，因此，第七代测试线与第六代DRAM量产的准备工作同步进行。
业界认为，三星在第六代DRAM还未进入量产阶段前就为第七代建置厂房，是为了明年重夺优势的起步年所进行的投资。
三星HBM市场被第二大公司SK海力士夺走，10纳米级第六代内存的开发速度也落后于对手，为了夺回领导地位，三星必须加快产品开发速度。